研发工程师—功率MOSFET设计
工作地点：深圳
工作地址：中国广东省深圳市福田区中航路都会100大厦A座31D
联系人：李经理
邮箱：1161023221@qq.com
岗位职责：
1、参与项目的可行性分析，负责产品开发的方案的制定与修改，技术风险评估，流程（含技术文文件）管理，重要产品的客户技术沟通等；
2、负责公司相关芯片的设计与开发工作；
3、新产品量产导入以及提升新产品良率；
4、相关专利文件撰写及申请。
任职资格：
1、硕士及以上学历，微电子/电子工程/电子科学等相关专业，英语良好；
2、熟悉半导体物理，半导体制程及电子电路相关知识；
3、具备实际操作半导体组件模似软件及布局软件经验；
4、5年以上功率MOSFET设计经验，具有屏蔽栅/分立栅(SGT) MOSFET或是超结(Super Junction) MOSFET设计经验者尤佳；
5、具有丰富的电子知识，具有良好的电子电路分析能力。
